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タイトル: Step wandering on Si(111) vicinal face near the 1×1 7×7 transition temperature with drift of adatoms parallel to steps
シリーズ番号/レポート番号: 62601
著者: Ikawa, Kenta
Sato, Masahide link image link image
佐藤, 正英
発行日: 2008年 6月18日
出版社(者): American Physical Society
雑誌名: Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics
ISSN: 1539-3755
巻: 77
号: 6
抄録: On a Si(111) surface, which is covered with the 1×1 structure at high temperature, the 7×7 structure appears when temperature is lower than the structural transition temperature (860°C). On the vicinal face, the 7×7 structure spreads from the upper side of the step edge. The diffusion coefficient on the 1×1 structure is larger than that on the 7×7 structure. During growth, due to the difference in the diffusion coefficient, step wandering occurs and grooves perpendicular to the steps are formed. When the direct electric current is added parallel to the step, the grooves are tilted. In this paper, with taking account of the drift of adatoms caused by the direct current, we study the possibility of tilting of the grooves. © 2008 The American Physical Society.
DOI: 10.1103/PhysRevE.77.062601
URI: http://hdl.handle.net/2297/10940
資料種別: Journal Article
版表示: publisher
出現コレクション:1. 査読済論文

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