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TE-PR-MARUYAMA-T-12564.pdf434.56 kBAdobe PDF
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タイトル: Lateral current injection GaInAsP/InP laser on semi-insulating substrate for membrane-based photonic circuits
著者: Okumura, Tadashi
Kurokawa, Munetaka
Shirao, Mizuki
Kondo, Daisuke
Ito, Hitomi
Nishiyama, Nobuhiko
Maruyama, Takeo link image link image
Arai, Shigehisa
丸山, 武男
発行日: 2009年 7月20日
出版社(者): Optical Society of America
雑誌名: Optics Express
ISSN: 1094-4087
巻: 17
号: 15
開始ページ: 12564
終了ページ: 12570
抄録: A room-temperature pulsed operation was demonstrated using lateral current injection-type lasers composed of a 400-nm-thick GaInAsP core layer with compressively strained 5 quantum wells. A threshold current of 105 mA and corresponding density of 1.3 kA/cm2 (260 A/cm2 per well) were obtained with the stripe width of 5.4 μm and the cavity length of 1.47 mm. A fundamental transverse mode operation was obtained with the narrower stripe device of 2.0 μm and the cavity length of 805 μm, while the threshold current and corresponding density were 49 mA and 3.0 kA/cm 2, respectively. © 2009 Optical Society of America.
DOI: 10.1364/OE.17.012564
URI: http://hdl.handle.net/2297/19580
資料種別: Journal Article
版表示: author
出現コレクション:1.査読済論文(工)

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