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タイトル: 17pC11 シリコン(001)微斜面でのステップ束の2次元パターンと成長則 : 結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議
その他のタイトル: 17pC11 Two-dimensional Pattern and Growth Law in Step Bunching on Si(001) Vicinal Face(NCCG-35)
著者: 佐藤, 正英 link image link image
上羽, 牧夫
齋藤, 幸夫
Sato, Masahide
Uwaha, Makio
Saito, Yukio
発行日: 2005年 8月17日
出版社(者): The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) = 日本結晶成長学会
雑誌名: Journal of the Japanese Association of Crystal Growth = 日本結晶成長学会誌
ISSN: 0385-6275
巻: 32
号: 3
開始ページ: 174
抄録: With a Si(001) vicinal in mind, we study step bunching induced by drift of adatoms. In 1-dimensional model, bunches with step-down drift grow faster than those with step-up drift. In 2-dimensional model, the bunches with step-down drift are straight and those with step-up drift are fluctuated large. By the difference of the 2-dimensional pattern, the bunches with step-up drift grow as fast as those with step-down drift.
URI: http://hdl.handle.net/2297/23611
関連URI: http://wwwsoc.nii.ac.jp/jacg/
http://ci.nii.ac.jp/naid/110007331646/en/
資料種別: Journal Article
権利関係: 本文データは日本結晶成長学会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
版表示: publisher
出現コレクション:1. 査読済論文

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