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タイトル: Si(001)微斜面上の吸着原子の流れによるステップバンチング : 結晶成長理論シンポジウム
その他のタイトル: Step Bunching in a Si(001) Vicinal Face with Drift Flow of Adatoms
著者: 佐藤, 正英 link image link image
森, 智徳
上羽, 牧夫
広瀬, 幸雄 link image
Sato, Masahide
Mori, Tomonori
Uwaha, Makio
Hirose, Yukio
発行日: 2002年 7月 1日
出版社(者): The Japanese Association for Crystal Growth (JACG) = 日本結晶成長学会
雑誌名: Journal of the Japanese Association of Crystal Growth = 日本結晶成長学会誌
ISSN: 0385-6275
巻: 29
号: 2
開始ページ: 79
抄録: We study step bunching induced by drift flow of adatoms. With alternation of anisotropic diffusion coefficient like a Si(001) vicinal face, the step bunching occurs irrespective of the drift direction. When we neglect evaporation of adatoms, step bunching with step-down drift is faster than that with step-up drift. With increasing the evaporation, the difference of growth rate becomes small.
URI: http://hdl.handle.net/2297/23613
関連URI: http://wwwsoc.nii.ac.jp/jacg/
http://ci.nii.ac.jp/naid/110002715606/en/
資料種別: Journal Article
権利関係: 本文データは日本結晶成長学会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
版表示: publisher
出現コレクション:1. 査読済論文

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