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TE-PR-1987-KUMEDA-M-2713.pdf1.04 MBAdobe PDF
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タイトル: Fluorine-incorporation scheme in fluorinated amorphous silicon prepared by various methods.
著者: Kumeda, Minoru link image
Takahashi, Yukio
Shimizu, Tatsuo link image
久米田, 稔
清水, 立生
発行日: 1987年
出版社(者): American Institute of Physics
雑誌名: Physical Review -Series B-
ISSN: 1098-0121
巻: 36
号: 5
開始ページ: 2713
終了ページ: 2719
キーワード: Structure and morphology
thickness
crystalline orientation and texture
抄録: Fluorinated amorphous silicon (a-Si:F) films are prepared by three different methods: glow-discharge decomposition of SiF2 gas, magnetron sputtering, and conventional diode sputtering. The incorporation scheme of F atoms is investigated by means of nuclear magnetic resonance (NMR) and infrared (ir) absorption measurements. 19F NMR signals observed at 4.2 K can be simulated by superposing signals from dispersed F atoms, clustered F atoms, SiF4 molecules, and SiF3 species. The content of SiF4 increases by annealing in agreement with an increase in the intensity of ir absorption at 1020 cm-1. 19F NMR signals at 77 K and at room temperature show the effect of motional narrowing because SiF4 molecules move easily in the amorphous network.
DOI: 10.1103/PhysRevB.36.2713
URI: http://hdl.handle.net/2297/24481
資料種別: Journal Article
版表示: publisher
出現コレクション:1.査読済論文(工)

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