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CS-PR-SATO-M-formation of finger-like.pdf4.38 MBAdobe PDF公開予定日: 未定
タイトル: Formation of finger-like step patterns on a Si(111) vicinal face
著者: Sato, Masahide link image link image
Kondo, Shinji
Uwaha, Makio
佐藤, 正英
発行日: 2011年 3月
出版社(者): Elsevier BV
雑誌名: Journal of Crystal Growth
ISSN: 0022-0248
巻: 318
号: 1
開始ページ: 14
終了ページ: 17
キーワード: A1. Crystal morphology
A1. Growth model
A1. Surfaces
抄録: During deposition of Ga atoms, the structure of a Si(111) vicinal face is transformed from the sqrt(3) × sqrt(3) structure to the 6.3×6.3 structure. The transformation occurs preferentially from the lower side of steps. Since the density of Si atoms needed to form the 6.3×6.3 structure is lower than that to form the sqrt(3) × sqrt(3) structure, Si atoms are supplied onto the surface during the structural transition. The steps advance by incorporating the extra adatoms, and show a finger-like wandering pattern (H. Hibino, H. Kageshima, M. Uwaha, Surf. Sci. 602 (2008) 2421). To study the formation of the finger-like pattern, we carry out Monte Carlo simulations. When atoms are supplied immediately in front of a straight step, the step becomes unstable. Step wandering occurs and a step shows a finger-like pattern. The characteristic period of the fingers is consistent with the linear stability analysis and proportional to (over(β, ̃) / V)1 / 2, where over(β, ̃) is the step stiffness and V is the step velocity (deposition rate). © 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.093
URI: http://hdl.handle.net/2297/25772
関連URI: http://www.elsevier.com/locate/issn/00220248
資料種別: Journal Article
版表示: author
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